高導熱粉體材料助力高功率芯片熱管理技術突破

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發(fā)表時間：2025-09-04 08:08來源：金戈新材官網

背景：高功率芯片的散熱挑戰(zhàn)

隨著AI算力需求爆發(fā)式增長，高性能服務器、數據中心CPU、AI加速器及專業(yè)游戲硬件對芯片功率的要求已提升至200W-400W量級。功率密度的飆升直接導致芯片熱量積聚問題加劇，若缺乏有效熱管理，芯片溫度可能驟升20-30℃，引發(fā)性能衰減、設備宕機甚至壽命縮短，成為制約高功率芯片可靠運行的"隱形殺手"。

散熱難根源：微小間隙的"熱阻屏障"

芯片表面看似光滑，實則存在肉眼不可見的凹凸氣隙。空氣的導熱率僅0.026 W/(m·K)，僅為銅的1/1000，在芯片與散熱器間形成"熱阻屏障"，阻礙熱量高效傳遞。以400W功率芯片為例，若有效散熱面積僅4cm2，熱通量密度將超過100 W/cm2（相當于在接近1元硬幣大小的區(qū)域持續(xù)加熱），傳統(tǒng)散熱系統(tǒng)難以快速導出熱量。

TIM：破解熱管理難題的關鍵技術

導熱界面材料（TIM）通過填補芯片與散熱器間的微小空隙，構建高效的導熱通路，顯著降低熱阻。其核心價值體現在：

保障性能穩(wěn)定：降低結溫，防止熱節(jié)流導致的算力損失
延長設備壽命：減少熱應力損傷，降低運維成本
支撐高可靠運行：滿足設備7×24小時無故障運行

針對高功率場景，TIM需滿足更嚴苛要求：高導熱系數、低接觸熱阻、長期可靠性等。

金戈新材：導熱粉體材料賦能TIM性能升級

導熱填料是TIM實現高導熱、低熱阻等性能的關鍵原料。針對高功率芯片散熱需求，金戈新材推出多款高性能導熱粉體材料，助力TIM性能躍升：

5.0~12W/(m·K)硅凝膠用導熱粉體材料

產品牌號	產品特點或應用特色
GD-S11V2	用于制備12 W/（m·K）單組分凝膠，BLT小于200um
GD-S820A	可用于制備8 W/（m·K）雙組分凝膠，高擠出率
GD-S770A	用于制備7-8 W/（m·K）單組分凝膠，BLT＜50um
GD-S620A	用于制備5-6 W/（m·K）凝膠，高溫抗開裂抗滑移

備注：表中數據基于我司實驗室所得，實際性能受配方體系及使用環(huán)境因素影響，建議通過實驗驗證最終效果。

6.0~15W/(m·K)硅膠墊片用導熱劑粉體

產品牌號	產品特點或應用特色
GD-S14V0	用于制備14-15 W/(m·K)墊片
GD-S12V2	用于制備11-12 W/(m·K)墊片
GD-S816A	用于制備8 W/(m·K)墊片，耐高溫
GD-S621A	用于制備6 W/(m·K)墊片，厚度低至0.3-0.5mm

備注：表中數據基于我司實驗室所得，實際性能受配方體系及使用環(huán)境因素影響，建議通過實驗驗證最終效果。

2~5W/(m·K)硅脂用導熱粉體材料

產品牌號	產品特點或應用特色
GD-S352Z	制備3.5-4.0 W/(m·K)觸變硅脂，耐高溫（抗滑移、抗開裂）
GZMJ-K214	制備2.0-2.7 W/(m·K)流淌硅脂，超低熱阻0.004 ℃·in2/W，低粘度，低滲油，PK5026
GZMJ-K223	制備4.5 W/(m·K)流淌硅脂，低熱阻0.005 ℃·in2/W，PK5888
GZMJ-K210	制備5.0 W/(m·K)流淌硅脂，低熱阻：0.007 ℃·in2/W，PK7921

備注：表中數據基于我司實驗室所得，實際性能受配方體系及使用環(huán)境因素影響，建議通過實驗驗證最終效果。

在算力即競爭力的今天，每1℃降溫都意味著性能的釋放與成本的節(jié)約。金戈新材以創(chuàng)新的導熱粉體材料方案，助力數據中心、AI集群和專業(yè)設備實現"冷靜"高效運行。如有需求，可點擊下方“免費申請試樣”或者致電0757-87572711。

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